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影 响排气效果，气流导向装置20的电极孔2-2分别与该炉的电极柱15密封连 接，以防止因该电极孔2-2与电极柱15之间的间隙而漏气，影响排气效果。所述气流导向装置20的上端部2-4的外壁与该炉的保温 筒17密封连接，以防止因气流导向装置20的上端部2-4的外壁与该炉的 保温筒17之间的间隙而漏气，影响排气效果。以防止因该中轴孔2-1与石墨中轴21之间的间隙而漏气所述气流导向装置20的中轴孔2-1与该炉的石墨中轴21活 动密封连接所述气流导向装置20各通气孔2-3与该炉的排气口 13通过通 气管19相连通，以提高排气效果。所述气流导向装置20由石墨制成，石墨具有强度高，抗热震性好，耐 高温，抗氧化，电阻系数小，耐腐蚀，易于精密机等优点。
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离子注入等手段，可以制成各种半导体器件。用硅片制成的芯片有着惊人的运算能力。科学技术的发展不断推动着半导体的发展。自动化和计算机等技术发展，使硅片（集成电路）这种高技术产品的造价已降到十分低廉的程度。这使得硅片已广泛应用于，工业，农业和 ，甚悄悄进入每一个家庭。硅片利用介绍硅片再利用是一种从中分离出来的有用物质经过物理或机械成为再利用的如废
玻璃，废金属。通过对硅片进行光刻硅片是集成电路的重要材料硅片，废电池片的再利用指以将再次生产的方式。支撑柱在炉体支撑的上面，便于下面设备的维护。炉筒升降采用丝杠提升技术，简便干净。全自动控制系统采用模块化设计。便于装料和维护等。炉筒升降支撑采用双立柱设计单晶硅生长炉的特点HD系列硅单晶炉的炉室采用3节设计。上筒和上盖可以上升并向两边转动维护方便高精度真空计结合电动
蝶阀实时控制炉内真空度。上称重传感器用于晶棒直径的辅助控制。伺服
电机和步进电机的混合使用，即可满足转动所需的扭矩，又可实现转速的控制。质量
流量计控制氩气流量。后，待大部分硅溶液都已经完成结晶时，再将晶体逐渐缩小而形成一个尾形锥体，称为收尾工艺。这样一个单晶拉制过程基本完成，进行一定的保温冷却后可以取出。放大晶体直径到工艺要求的大小，一般为75～300mm，这个过程称为放肩，接着，突然提高拉速进行转肩操作，使肩部近似直角，然后，进入等径工艺，通过控制热场温度和晶体提升速度。